BSS123 MOSFET SOT-23 N-CH LOGIKA
♠ Opis izdelka
| Atribut izdelka | Vrednost atributa |
| Proizvajalec: | onsemi |
| Kategorija izdelka: | MOSFET |
| Tehnologija: | Si |
| Slog montaže: | SMD/SMT |
| Paket / etui: | SOT-23-3 |
| Polarnost tranzistorja: | N-kanal |
| Število kanalov: | 1 kanal |
| Vds - Prebojna napetost med odtokom in izvorom: | 100 V |
| Id - Neprekinjen odvodni tok: | 170 mA |
| Rds On - upornost med odtokom in izvorom: | 6 ohmov |
| Vgs - Napetost med vrati in izvorom: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - prag napetosti med vrati in izvorom: | 800 mV |
| Qg - Naboj na vratih: | 2,5 nC |
| Najnižja delovna temperatura: | -55 °C |
| Najvišja delovna temperatura: | +150 °C |
| Pd - Izguba moči: | 300 mW |
| Način kanala: | Izboljšanje |
| Embalaža: | Kolut |
| Embalaža: | Rezani trak |
| Embalaža: | MiškaReel |
| Znamka: | onsemi / Fairchild |
| Konfiguracija: | Samski |
| Jesenski čas: | 9 ns |
| Prevodnost naprej - Min: | 0,8 S |
| Višina: | 1,2 mm |
| Dolžina: | 2,9 mm |
| Izdelek: | MOSFET majhni signal |
| Vrsta izdelka: | MOSFET |
| Čas vzpona: | 9 ns |
| Serija: | BSS123 |
| Količina v tovarniškem pakiranju: | 3000 |
| Podkategorija: | MOSFET-i |
| Vrsta tranzistorja: | 1 N-kanal |
| Vrsta: | FET |
| Tipični čas zakasnitve izklopa: | 17 ns |
| Tipični čas zakasnitve vklopa: | 1,7 ns |
| Širina: | 1,3 mm |
| Vzdevki dela št.: | BSS123_NL |
| Teža enote: | 0,000282 oz |
♠ N-kanalni tranzistor s poljskim efektom in načinom izboljšanja logičnega nivoja
Ti N-kanalni tranzistorji s poljskim efektom in izboljšanim načinom delovanja so izdelani z uporabo lastniške tehnologije DMOS podjetja Onsemi z visoko gostoto celic. Zasnovani so tako, da zmanjšajo upornost v vklopljenem stanju, hkrati pa zagotavljajo robustno, zanesljivo in hitro preklopno delovanje. Ti izdelki so še posebej primerni za nizkonapetostne in nizkotokovne aplikacije, kot so krmiljenje majhnih servo motorjev, gonilniki vrat močnostnih MOSFET in druge preklopne aplikacije.
• 0,17 A, 100 V
♦ RDS(vklop) = 6 pri VGS = 10 V
♦ RDS(vklopljeno) = 10 pri VGS = 4,5 V
• Zasnova celic z visoko gostoto za izjemno nizek RDS(vklop)
• Robustno in zanesljivo
• Kompaktno industrijsko standardno ohišje za površinsko montažo SOT−23
• Ta naprava ne vsebuje svinca in halogenov
