NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ Opis izdelka
| Atribut izdelka | Vrednost atributa |
| Proizvajalec: | onsemi |
| Kategorija izdelka: | MOSFET |
| RoHS: | Podrobnosti |
| Tehnologija: | Si |
| Slog montaže: | SMD/SMT |
| Paket / etui: | SO-8FL-4 |
| Polarnost tranzistorja: | N-kanal |
| Število kanalov: | 1 kanal |
| Vds - Prebojna napetost med odtokom in izvorom: | 30 V |
| Id - Neprekinjen odvodni tok: | 52 A |
| Rds On - upornost med odtokom in izvorom: | 4,73 mOhmov |
| Vgs - Napetost med vrati in izvorom: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - prag napetosti med vrati in izvorom: | 2,2 V |
| Qg - Naboj na vratih: | 22,2 nC |
| Najnižja delovna temperatura: | -55 °C |
| Najvišja delovna temperatura: | +150 °C |
| Pd - Izguba moči: | 6 W |
| Način kanala: | Izboljšanje |
| Embalaža: | Kolut |
| Embalaža: | Rezani trak |
| Embalaža: | MiškaReel |
| Znamka: | onsemi |
| Konfiguracija: | Samski |
| Vrsta izdelka: | MOSFET |
| Serija: | NTMFS4C028N |
| Količina v tovarniškem pakiranju: | 1500 |
| Podkategorija: | MOSFET-i |
| Teža enote: | 0,026455 oz |
• Nizek RDS(vklop) za zmanjšanje prevodnih izgub
• Nizka kapacitivnost za zmanjšanje izgub gonilnikov
• Optimizirano polnjenje vrat za zmanjšanje izgub pri preklopu
• Te naprave ne vsebujejo svinca, halogenov/bromiranih delcev in so skladne z RoHS.
• Napajanje procesorja
• DC-DC pretvorniki
