NVH820S75L4SPB IGBT moduli 750V, 820A SSD
♠ Opis izdelka
| Atribut izdelka | Vrednost atributa |
| Proizvajalec: | onsemi |
| Kategorija izdelka: | IGBT moduli |
| izdelek: | IGBT silicijevi moduli |
| Konfiguracija: | 6-Paket |
| Napetost kolektor-emiter VCEO Max: | 750 V |
| Napetost nasičenja kolektor-emiter: | 1,3 V |
| Trajni kolektorski tok pri 25 C: | 600 A |
| Tok uhajanja vrat-emiter: | 500 uA |
| Pd - Disipacija moči: | 1000 W |
| Paket/kovček: | 183AB |
| Najnižja delovna temperatura: | - 40 C |
| Najvišja delovna temperatura: | + 175 C |
| Pakiranje: | Pladenj |
| Znamka: | onsemi |
| Največja napetost oddajnika vrat: | 20 V |
| Slog montaže: | SMD/SMT |
| Tip izdelka: | IGBT moduli |
| Tovarniška količina paketa: | 4 |
| Podkategorija: | IGBT-ji |
| Tehnologija: | Si |
| Trgovsko ime: | VE-Trac |
| Teža enote: | 2,843 lbs |
♠ Avtomobilska 750 V, 820 A enostransko neposredno hlajenje 6-paketni napajalni modul VE-Trac neposredni modul NVH820S75L4SPB
NVH820S75L4SPB je napajalni modul iz družine visoko integriranih napajalnih modulov VE-Trac Direct z industrijskimi standardnimi odtisi za hibridno (HEV) in uporabo pogonskega inverterja za električna vozila (EV).
Modul vključuje šest Field Stop 4 (FS4) 750 V Narrow Mesa IGBT-jev v konfiguraciji 6 paketov, ki se odlikuje po zagotavljanju visoke gostote toka, hkrati pa nudi robustno zaščito pred kratkim stikom in povečano blokirno napetost.Poleg tega FS4 750 V Narrow Mesa IGBT-ji kažejo nizke izgube moči med manjšimi obremenitvami, kar pomaga izboljšati splošno učinkovitost sistema v avtomobilskih aplikacijah.
Za lažjo montažo in zanesljivost je v signalne sponke napajalnega modula integrirana nova generacija zatičev za stiskanje.Poleg tega ima napajalni modul v osnovni plošči optimiziran hladilno telo z nožičastim rebrom.
• Neposredno hlajenje z vgrajenim hladilnim telom z nožnim rebrom
• Ultra nizka razpršena induktivnost
• Tvjmax = 175°C Neprekinjeno delovanje
• Nizek VCESAT in stikalne izgube
• Avtomobilski razred FS4 750 V ozek Mesa IGBT
• Fast Recovery Diode Chip Technologies
• 4,2 kV izoliran DBC substrat
• Enostavna integracija topologije 6-pack
• Ta naprava ne vsebuje Pb in je skladna z RoHS
• Hibridni in električni vlečni pretvornik
• Pretvorniki visoke moči
