FQU2N60CTU MOSFET 600V N-kanalni Adv Q-FET C-serija
♠ Opis izdelka
| Atribut izdelka | Vrednost atributa |
| Proizvajalec: | onsemi |
| Kategorija izdelka: | MOSFET |
| Tehnologija: | Si |
| Slog montaže: | Skozi luknjo |
| Paket/kovček: | TO-251-3 |
| Polariteta tranzistorja: | N-kanal |
| Število kanalov: | 1 kanal |
| Vds - prelomna napetost odtok-izvor: | 600 V |
| Id - stalni odvodni tok: | 1,9 A |
| Rds vklopljen - upor odtoka-vira: | 4,7 ohmov |
| Vgs - napetost na vratih: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - mejna napetost vrat-izvor: | 2 V |
| Qg - Polnjenje vrat: | 12 nC |
| Najnižja delovna temperatura: | - 55 C |
| Najvišja delovna temperatura: | + 150 C |
| Pd - Disipacija moči: | 2,5 W |
| Način kanala: | Izboljšanje |
| Pakiranje: | Cev |
| Znamka: | onsemi / Fairchild |
| Konfiguracija: | Samski |
| Jesenski čas: | 28 ns |
| Prevodnost naprej - min: | 5 S |
| Višina: | 6,3 mm |
| Dolžina: | 6,8 mm |
| Tip izdelka: | MOSFET |
| Čas vzpona: | 25 ns |
| serija: | FQU2N60C |
| Tovarniška količina paketa: | 5040 |
| Podkategorija: | MOSFET-ji |
| Vrsta tranzistorja: | 1 N-kanalni |
| Tip: | MOSFET |
| Tipičen čas zakasnitve izklopa: | 24 ns |
| Tipičen čas zakasnitve vklopa: | 9 ns |
| Premer: | 2,5 mm |
| Teža enote: | 0,011993 oz |
♠ MOSFET – N-kanalni, QFET 600 V, 1,9 A, 4,7
Ta močnostni MOSFET z N-kanalnim načinom izboljšave je izdelan z uporabo onsemijeve lastniške planarne črte in tehnologije DMOS.Ta napredna tehnologija MOSFET je bila posebej prilagojena za zmanjšanje odpornosti v stanju vklopa in za zagotavljanje vrhunske preklopne zmogljivosti in visoke energijske moči plazu.Te naprave so primerne za stikalne napajalnike, aktivno korekcijo faktorja moči (PFC) in elektronske predstikalne naprave za žarnice.
• 1,9 A, 600 V, RDS (vklopljen) = 4,7 (maks.) @ VGS = 10 V, ID = 0,95 A
• Nizek naboj vrat (tip. 8,5 nC)
• Low Crss (Tip. 4,3 pF)
• 100 % testirano na plazove
• Te naprave ne vsebujejo halidov in so skladne z RoHS
