NVTFS5116PLTWG MOSFET enojni P-kanalni 60V,14A,52mohm
♠ Opis izdelka
| Atribut izdelka | Vrednost atributa |
| Proizvajalec: | onsemi |
| Kategorija izdelka: | MOSFET |
| Tehnologija: | Si |
| Slog montaže: | SMD/SMT |
| Paket/kovček: | WDFN-8 |
| Polariteta tranzistorja: | P-kanal |
| Število kanalov: | 1 kanal |
| Vds - prelomna napetost odtok-izvor: | 60 V |
| Id - stalni odvodni tok: | 14 A |
| Rds vklopljen - upor odtoka-vira: | 52 mOhmov |
| Vgs - napetost na vratih: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - mejna napetost vrat-izvor: | 3 V |
| Qg - Polnjenje vrat: | 25 nC |
| Najnižja delovna temperatura: | - 55 C |
| Najvišja delovna temperatura: | + 175 C |
| Pd - Disipacija moči: | 21 W |
| Način kanala: | Izboljšanje |
| Kvalifikacije: | AEC-Q101 |
| Pakiranje: | Kolut |
| Pakiranje: | Cut Tape |
| Pakiranje: | MouseReel |
| Znamka: | onsemi |
| Konfiguracija: | Samski |
| Prevodnost naprej - min: | 11 S |
| Tip izdelka: | MOSFET |
| serija: | NVTFS5116PL |
| Tovarniška količina paketa: | 5000 |
| Podkategorija: | MOSFET-ji |
| Vrsta tranzistorja: | 1 P-kanal |
| Teža enote: | 0,001043 oz |
• Majhen odtis (3,3 x 3,3 mm) za kompaktno zasnovo
• Nizek RDS(on) za zmanjšanje izgub prevodnosti
• Nizka kapacitivnost za zmanjšanje izgub gonilnika
• NVTFS5116PLWF − Namočljivi bočni izdelki
• Kvalificiran za AEC−Q101 in zmožen PPAP
• Te naprave ne vsebujejo Pb in so skladne z RoHS
