VNS1NV04DPTR-E gonilniki vrat OMNIFET POWER MOSFET 40V 1,7 A
♠ Opis izdelka
| Atribut izdelka | Vrednost atributa |
| Proizvajalec: | STMicroelectronics |
| Kategorija izdelka: | Gonilniki vrat |
| izdelek: | Gonilniki vrat MOSFET |
| Tip: | Nizka stran |
| Slog montaže: | SMD/SMT |
| Paket/kovček: | SOIC-8 |
| Število voznikov: | 2 Voznik |
| Število izhodov: | 2 Izhod |
| Izhodni tok: | 1,7 A |
| Napajalna napetost - Max: | 24 V |
| Čas vzpona: | 500 ns |
| Jesenski čas: | 600 ns |
| Najnižja delovna temperatura: | - 40 C |
| Najvišja delovna temperatura: | + 150 C |
| serija: | VNS1NV04DP-E |
| Kvalifikacije: | AEC-Q100 |
| Pakiranje: | Kolut |
| Pakiranje: | Cut Tape |
| Pakiranje: | MouseReel |
| Znamka: | STMicroelectronics |
| Občutljivost na vlago: | ja |
| Obratovalni napajalni tok: | 150 uA |
| Tip izdelka: | Gonilniki vrat |
| Tovarniška količina paketa: | 2500 |
| Podkategorija: | PMIC - IC-ji za upravljanje napajanja |
| Tehnologija: | Si |
| Teža enote: | 0,005291 oz |
♠ OMNIFET II popolnoma samodejno zaščiten Power MOSFET
VNS1NV04DP-E je naprava, ki jo tvorita dva monolitna čipa OMNIFET II, nameščena v standardnem ohišju SO-8.OMNIFET II so zasnovani v tehnologiji STMicroelectronics VIPower™ M0-3: namenjeni so za zamenjavo standardnih močnostnih MOSFET-ov od aplikacij DC do 50KHz.Vgrajeni termični izklop, linearna omejitev toka in prenapetostna sponka ščitijo čip v težkih okoljih.
Povratno informacijo o napaki je mogoče zaznati s spremljanjem napetosti na vhodnem zatiču.
• Omejitev linearnega toka
• Termični izklop
• Zaščita pred kratkim stikom
• Integrirana objemka
• Nizek tok na vhodnem zatiču
• Diagnostična povratna informacija prek vhodnega zatiča
• ESD zaščita
• Neposreden dostop do vrat močnostnega mosfeta (analogna vožnja)
• Združljiv s standardnimi mosfeti
• V skladu z evropsko direktivo 2002/95/EC
