W9864G6KH-6 DRAM 64Mb, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm
♠ Opis izdelka
| Atribut izdelka | Vrednost atributa |
| Proizvajalec: | Winbond |
| Kategorija izdelka: | DRAM |
| RoHS: | Podrobnosti |
| Tip: | SDRAM |
| Slog montaže: | SMD/SMT |
| Paket/kovček: | TSOP-54 |
| Širina podatkovnega vodila: | 16 bit |
| Organizacija: | 4 M x 16 |
| Velikost pomnilnika: | 64 Mbit |
| Največja taktna frekvenca: | 166 MHz |
| Čas dostopa: | 6 ns |
| Napajalna napetost - Max: | 3,6 V |
| Napajalna napetost - Min.: | 3 V |
| Napajalni tok - maks.: | 50 mA |
| Najnižja delovna temperatura: | 0 C |
| Najvišja delovna temperatura: | + 70 C |
| serija: | W9864G6KH |
| Znamka: | Winbond |
| Občutljivost na vlago: | ja |
| Tip izdelka: | DRAM |
| Tovarniška količina paketa: | 540 |
| Podkategorija: | Pomnilnik in shranjevanje podatkov |
| Teža enote: | 9,175 g |
♠ 1M ✖ 4 BANKE ✖ 16 BITNI SDRAM
W9864G6KH je hitri sinhroni dinamični pomnilnik z naključnim dostopom (SDRAM), organiziran kot 1 milijon besed 4 banke 16 bitov.W9864G6KH zagotavlja podatkovno pasovno širino do 200 milijonov besed na sekundo.Za različne aplikacije je W9864G6KH razvrščen v naslednje hitrostne razrede: -5, -6, -6I in -7.Deli stopnje -5 lahko delujejo do 200MHz/CL3.Deli razreda -6 in -6I lahko delujejo do 166MHz/CL3 (industrijski razred -6I, ki zajamčeno podpira -40°C ~ 85°C).Deli stopnje -7 lahko delujejo do 143MHz/CL3 in s tRP = 18nS.
Dostopi do SDRAM-a so rafalno usmerjeni.Do zaporedne pomnilniške lokacije na eni strani je mogoče dostopati pri nizki dolžini 1, 2, 4, 8 ali celotni strani, ko sta banka in vrstica izbrani z ukazom ACTIVE.Naslove stolpcev samodejno ustvari notranji števec SDRAM v rafalnem delovanju.Naključno branje stolpca je možno tudi z zagotavljanjem njegovega naslova ob vsakem taktu.
Narava več bank omogoča prepletanje med notranjimi bankami, da se skrije čas predpolnjenja. S programirljivim registrom načina lahko sistem spremeni dolžino zaporedja, cikel zakasnitve, prepletanje ali zaporedno zaporedje, da poveča svojo zmogljivost.W9864G6KH je idealen za glavni pomnilnik v visoko zmogljivih aplikacijah.
• 3,3 V ± 0,3 V za napajalnik hitrosti -5, -6 in -6I
• 2,7 V ~ 3,6 V za napajanje -7 stopenj hitrosti
• Urna frekvenca do 200 MHz
• 1.048.576 besed
• 4 banke
• 16-bitna organizacija
• Tok samoosvežitve: standardna in nizka moč
• Zakasnitev CAS: 2 in 3
• Zaporedna dolžina: 1, 2, 4, 8 in cela stran
• Zaporedni in prepletni rafal
• Bajtni podatki, ki jih nadzira LDQM, UDQM
• Samodejno predpolnjenje in nadzorovano predpolnjenje
• Zaporedno branje, način posameznega pisanja
• 4K ciklov osveževanja/64 mS
• Vmesnik: LVTTL
• Pakirano v 54-pin TSOP II, 400 mil z uporabo materialov brez svinca in skladno z RoHS
